5G时代最重要的半导体材料:碳化硅(SiC)的膜厚测量

2020-01-17 16:08:08 admin 63

作者:Kevin Hu,优尼康科技有限公司高级技术工程师

随着5G大潮的到来,新一代的移动通信产品大多具备高功率,耐高温等特性,传统原料中的硅(Si)无法克服在高温、高压、高频中的损耗,逐渐被淘汰,跟不上时代的发展,无法满足现代工艺的要求,这就使得碳化硅(SiC)新工艺在半导体行业崭露头角。

目前SiC 产品格局还处于三足鼎立的状态,美国、欧洲、日本占据全球产值的八成,其中又以美国独大,中国虽以即将进入5G时代,但是半导体在SiC方面仍属于发展初期,目前在基底、磊晶和零组件方面均有布局。

为了把控和检测产品工艺,提高技术生产水平,SiC工艺中管控各种膜厚厚度显得尤为重要。

我们优尼康提供的Filmetrics的光学膜厚仪,因为光学测量具有快速无损等优点,已经广泛使用在半导体相关的企业中,尤其在最近新兴的SiC器件量测应用中。例如国内SiC生产的企业,中车、华润上华、启迪新材料等等。

SiC工艺中常见测量膜层有:SiO2/PESiO2、SiNx、C膜、多晶硅、非晶硅、光刻胶、BPSG/USG等。

 

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为了更好的解决不断出现的SiC新工艺上的测量问题,也为了能够帮助半导体企业更快更好的提高制作工艺,我们­优尼康公司愿意和广大厂家一起进步,为中国芯片添砖加瓦,有任何相关的测量需求,均可来电和我们技术工程师沟通探讨。


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