电介质于薄膜应用

电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学,半导体,以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有: 二氧化硅 – 最简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0), 而且非常接近化学计量 (就是说,硅:氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范,通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化

电介质

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成千上万的电解质薄膜被用于光学,半导体,以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:

二氧化硅 – 最简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0), 而且非常接近化学计量 (就是说,硅:氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范,通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。

氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难,因为硅:氮比率通常不是3:4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是,氧常常渗入薄膜,生成一定程度的氮氧化硅,增大测量难度。 但是幸运的是,我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征。


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测量范例

氮化硅薄膜作为电介质,钝化层,或掩膜材料被广泛应用于半导体产业。这个案例中,我们用F20-UVX成功地测量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度,折射率,和消光系数。有趣的事,氮化硅薄膜的光学性质与薄膜的分子当量紧密相关。使用Filmetrics专有的氮化硅扩散模型,F20-UVX可以很容易地测量氮化硅薄膜的厚度和光学性质,不管他们是富硅,贫硅,还是分子当量。


测量设定:

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