半导体制造与封测

优尼康科技提供磷化铟InP全产业链测量方案：膜厚仪、椭偏仪、台阶仪、XRF分析仪、AFM、主动减震台。覆盖InP衬底减薄厚度均匀性、CMP表面粗糙度、AR/HR反射率、氧化硅/光刻胶膜厚、多层金属薄膜厚度、台阶高度、表面形貌等关键参数，助力光通信与AI算力光互连产业。

优尼康科技提供光刻胶全流程表征方案：膜厚仪(F20/F40/F50/F54)、椭偏仪(FS-8/Uvisel Plus)、光学轮廓仪(Profilm3D)、纳米压痕仪(G200X/imicro)、台阶仪、XRF、水滴角测量仪等。覆盖光刻胶膜厚测试、折射率n/k测量、台阶高度、粗糙度、力学性能与润湿性分析，适用于半导体光刻、MEMS、先进封装等领域。

优尼康科技提供晶圆级封装全流程测量方案：光学轮廓仪(Profilm3D)、膜厚仪(F20/F50/F54-XY)、XRF分析仪(K/B系列)、纳米压痕仪(G200X/iMicro)、台阶仪、电阻率仪等。覆盖凸点高度/共面性、RDL膜厚、TSV深宽比、UBM成分与力学性能、再分布层均匀性等关键参数，助力先进封装良率提升。

优尼康科技提供硅片制造全流程测量方案：电阻率仪R50/R54、膜厚仪F54-XY、光学轮廓仪Profilm3D、KLA台阶仪、XRF、水滴角、粒度仪。覆盖电阻率均匀性、TTV、弯曲度、表面粗糙度、金属污染、CMP浆料粒径、清洗效果检测。

优尼康科技提供MEMS全流程测量解决方案，包含光学轮廓仪Profilm3D、膜厚仪F20/F50、纳米压痕仪、XRF分析仪、台阶仪、电阻率仪。专业检测深硅刻蚀深度、侧壁角、薄膜厚度与应力、微悬臂梁形貌、压阻材料力学性能、金属层成分，助力MEMS器件研发与量产良率提升。

优尼康科技提供树脂领域全流程膜厚测量方案：Filmetrics F20/F50光学膜厚仪。覆盖树脂薄膜厚度、树脂涂层厚度、树脂基板厚度、功能膜/光学膜厚度等关键参数测量，非接触无损测量，助力树脂材料研发与量产质控。

优尼康科技提供介质薄膜全流程测量方案：膜厚仪(F20/F50/F54/F32)、椭偏仪(FS-8/UVISEL-PLUS/AUTO-SE/SMART-SE)、光学轮廓仪(Profilm3D/Zeta系列)、台阶仪(D系列/P系列)、纳米压痕仪(G200X/iMicro)、XRF分析仪(K/B系列)、电阻率测量仪(R50/R54)等。覆盖SiO₂/SiNx/Al₂O₃/HfO₂/TiO₂等介质薄膜的厚度、光学常数(n/k)、表面粗糙度、薄膜应力、缺陷检测等关键参数，助力光学镀膜、半导体、显示、新能源等领域研发与量产。