MEMS 微机电系统测量

2026-10-09 17:13:50 优尼康
应用领域 · 半导体制造与封测

MEMS 微机电系统测量方案

MEMS Devices

MEMS 器件的共同点是有可动的或悬空的三维结构,尺寸在微米量级,形状复杂。压力传感器的膜片厚度、微镜的镜面平整度、声学器件的腔体深度、微流控芯片的沟道尺寸,这些量都决定了器件的性能。三维结构比平面薄膜难测,本页按器件类型拆开,说明每类要测什么、用什么设备测。

覆盖对象压力传感器、微镜、声学器件与微流控结构结构尺寸亚微米至数百微米台阶范围纳米级至毫米级测试服务免费样品测试并出报告

提供器件结构形式与标称尺寸,工程团队协助确认测量方式与禁测区域

一、MEMS 器件为什么要测结构

MEMS 的性能建立在三维几何上。膜片薄一点,压力灵敏度就变了;镜面平一点,光学调制效率就高了;腔体深一点,声学谐振频率就下降。这些几何量在平面工艺里看不到,必须用三维测量手段确认。同一套设备往往能覆盖多类器件,关键是取点位置和测量方式要按器件结构来定。

膜片与结构厚度压力传感器与声学器件的关键参数,决定灵敏度与谐振频率。触针台阶仪深度范围纳米级至 1200 μm
结构尺寸与间隙梳齿、沟道与腔体的横向尺寸决定器件功能。共聚焦与探针类方法读取
表面平整度与粗糙度微镜与光学 MEMS 的表面状态直接影响光学性能。白光干涉垂直分辨率优于 0.1 nm
力学性能与残余应力薄膜模量与应力影响结构形变与长期可靠性。纳米压痕载荷分辨率可达纳牛量级

测量项目与适用方法

测量项目典型范围适用方法关注点
膜片厚度亚微米至数十微米触针式轮廓法与光谱反射法中心与边缘是否一致
腔体与沟道深度数微米至数百微米白光干涉与共聚焦深度均匀性
结构线宽与间隙亚微米至数十微米共聚焦与原子力显微镜取值高度是否统一
表面平整度纳米级至微米级白光干涉是否满足光学要求
表面粗糙度亚纳米至纳米原子力显微镜是否引入散射
薄膜模量与应力由工艺决定纳米压痕与轮廓法是否引起结构翘曲

上表为常见测量项目,实际判据以器件设计文件为准。可动或悬空结构优先用非接触方法;需要接触测量时,探针力要调到较低档并避开可动区域。

二、测量难在哪

MEMS 测量的难点来自结构的立体性与多样性。下面这几种情况在器件开发与产线监控中出现得比较频繁。

B
结构是立体的MEMS 的价值在三维结构上,平面测量给不出足够信息。必须用能重建高度场的方法,逐点读数说明不了形状。
w
结构往往可动可动结构的接触测量有损伤风险。测量方案要先确认哪些区域可以接触、哪些必须非接触。
S
器件类型多、结构差异大压力传感器是膜片,微镜是平整表面,微流控是深沟道,同一台设备的合适设置并不相同。要按器件类型调整物镜、量程与取点。
P
透明层与多层结构器件表面可能覆盖透明钝化层,光学信号会叠加膜层干涉。测量时要把膜厚数据与结构高度分开处理。
C
深宽比限制深腔与窄沟道会遮挡光学信号,深宽比升高后读数可靠性下降。超出范围时要改用探针或截面方法。
R
晶圆与单颗器件的差异晶圆级测量与切割后的单颗器件测量,边界条件不同,悬空结构的形变也可能不同。比对数据时要说明样品状态。

三、按器件类型要测什么

不同器件类型的测量重点不一样。下表按器件拆开,方便对照设计文件确认测量项目。

压力与声学器件光学 MEMS微流控与生物芯片通用结构表征
器件类型要测的项目典型样品适配机型判据关注点
压力传感器膜片厚度与形变传感器芯片P-170、Profilm3D膜片厚度均匀性与初始形变
声学器件腔体深度与振膜形貌麦克风与扬声器芯片Zeta-20、Profilm3D腔体深度一致性与振膜状态
光学 MEMS镜面平整度与粗糙度微镜与光开关Profilm3D、Flex-ANA平整度与散射水平
微流控芯片沟道深度、宽度与形貌微流控基片Zeta-20、D600沟道截面尺寸与壁面质量
通用结构线宽、间隙与台阶各类 MEMS 结构Zeta-388、P-170尺寸是否在设计窗口内
薄膜力学模量、硬度与应力测试结构G200X、iNano是否满足器件设计要求

四、对应设备

按测量项目分成四类,每类下面是对应的产品。形貌用光学轮廓,厚度用台阶仪,微区用探针。

三维形貌与平整度

用于结构形貌、平整度与大面积测量的非接触方法。

台阶与厚度

用于膜片厚度、腔体深度与台阶高度的几何读数。

微区形貌与粗糙度

用于纳米级形貌、粗糙度与侧壁状态复核。

力学与表面

用于薄膜模量、硬度与表面润湿性评价。

优尼康科技是 KLA 旗下 Filmetrics 光反射膜厚仪的中国区总代理,同时提供 KLA 光学轮廓仪与触针式台阶仪、HORIBA 椭偏仪与粒度仪、KRÜSS 接触角测量仪、Nanosurf 原子力显微镜等产品线。另代理 J.A. Woollam 椭偏仪,在售型号为 RC2、M-2000、theta-SE 与 alpha 2.0,光谱覆盖 193 至 2500 nm。

MEMS 器件建议先确定哪些区域可测,再用非接触方法做大面积形貌,再用探针补微区细节。了解 MEMS 器件测量选型建议

五、技术原理对比

原理决定了各自能回答的问题。大面积形貌用白光干涉,深度与剖面用共聚焦,微区与力学用探针。

技术代表型号测量原理在 MEMS 器件中的用途特点
白光干涉Profilm3D沿 Z 轴扫描干涉信号峰值位置重建高度场平整度、粗糙度与大面积三维形貌非接触,垂直分辨率优于 0.1 nm
共聚焦显微Zeta-20、Zeta-388逐层聚焦重建三维形貌沟道、腔体深度与剖面形状非接触,台阶覆盖 15 nm 至 25 mm
触针式轮廓法P-170、D600探针划过表面记录高度变化膜片厚度、腔体深度与台阶接触式,深度范围纳米级至 1200 μm
原子力显微镜Flex-ANA、AFSEM探针扫描给出三维形貌与力学映射纳米级形貌与侧壁粗糙度纳米级分辨,适合微区复核
纳米压痕G200X、iNano压入过程记录载荷与位移薄膜模量、硬度与残余应力评价载荷分辨率可达纳牛量级

六、异常现象的排查顺序

现场发现问题时,先判断属于尺寸、形貌还是力学,再决定用哪台设备。

现象先看什么用什么测
压力灵敏度偏离膜片厚度与初始形变P-170 测膜片厚度,Profilm3D 测形变
光学调制效率低镜面平整度与粗糙度Profilm3D 测平整度,Flex-ANA 测粗糙度
器件频率偏离设计腔体深度与结构尺寸Zeta-20 测腔深,Zeta-388 复核结构尺寸
微流控流量不符沟道截面尺寸D600 测沟道深度,Zeta-20 读宽度
结构出现翘曲残余应力与膜层状态Profilm3D 测翘曲,iNano 测薄膜力学性能
器件失效或粘连悬空结构形貌与间隙Zeta-20 看结构状态,Profilm3D 看塌陷区域

结构尺寸与形貌数据建议放在同一套点位坐标里比对。取点对齐之后,差异才有讨论价值。

七、实测案例

下面两篇是已发布的同方向内容,包含样品条件、测量流程与结论。

典型测量场景

膜片厚度与形变

需求确认压力传感器膜片厚度与初始形变
方法P-170 测膜片台阶,Profilm3D 测形变
看什么厚度均匀性与形变方向

镜面平整度

需求确认微镜镜面的平整度是否满足光学要求
方法Profilm3D 做大面积平整度测量
看什么面形偏差与局部起伏

沟道截面确认

需求确认微流控沟道的深度与宽度
方法D600 测深度,Zeta-20 读宽度与壁面形貌
看什么截面尺寸与壁面质量

薄膜力学性能

需求确认结构层薄膜的模量与硬度
方法G200X 或 iNano 做纳米压痕
看什么力学参数是否符合设计预期

九、常见问题

下面是选型与送测时问得比较集中的几个问题。

MEMS 器件能用普通膜厚仪测吗?
平面区的薄膜厚度可以用膜厚仪测,但 MEMS 的关键量多在三维结构上,比如腔体深度、膜片台阶与结构间隙。这些需要三维形貌或台阶测量。建议平面与结构两类数据配合使用。
可动结构测量会不会造成损伤?
非接触方法没有这个问题。接触式测量存在侧向力导致结构移位或断裂的风险,因此要选低探针力配置,并避开可动区域,把探针落在固定边框上。
膜片厚度怎么测?
用触针式台阶仪沿膜片边缘取台阶高度,深度范围覆盖纳米级至 1200 μm。测量位置要选在膜片未被释放的区域边缘,避免压到悬空部分。
镜面平整度用什么测?
用白光干涉轮廓仪做大面积形貌测量,垂直分辨率优于 0.1 nm,可以给出面形偏差。局部粗糙度用原子力显微镜复核。
微流控沟道怎么测?
沟道深度用触针式台阶仪或共聚焦显微测量,宽度与壁面形貌用共聚焦读取。深宽比大的沟道光学信号会受限,必要时做截面样品。
残余应力怎么评价?
可以用白光干涉测结构的翘曲量,再结合薄膜力学参数推算。纳米压痕可以直接给出薄膜的模量与硬度,配合结构尺寸数据判断形变趋势。
晶圆级测量和单颗器件测量结果不一致正常吗?
可能。切割与封装会改变边界条件,悬空结构的形变也可能变化。比对数据时要说清样品状态,晶圆级数据用于工艺监控,单颗器件数据用于器件评价。
能否测试我们的 MEMS 器件?
可以。提供器件结构形式、标称尺寸,并说明可测区域与禁测区域,我们按项目安排相应设备测试并出具测试报告与测量方案建议。样品寄送与测试安排可通过页面下方的联系方式确认。
有 MEMS 器件要测?

提供器件结构形式与标称尺寸,我们的应用工程师可以协助确认测量方式与可测区域,并安排样品测试。

优尼康科技与翌颖科技(上海)为并联企业,优尼康科技是 KLA 旗下 Filmetrics 光反射膜厚仪的中国区总代理。设备交付后提供安装调试、方法建立与备件服务,可申请上门演示与样品实测。

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