光刻胶测量是半导体制造中决定图形转移精度与良率的关键环节。本白皮书由优尼康和翌颖科技联合编制，系统梳理光刻胶从旋涂到固化全流程的测量技术路径、核心挑战、方案选型与实测案例，覆盖膜厚、光学常数、台阶形貌、力学性能与表面润湿性五个维度，为光刻工艺工程师、薄膜测量研发工程师与质量管理人员提供参考。
随着制程节点从 28nm 向 2nm 演进，光刻胶膜厚控制精度已进入亚纳米级。本白皮书整合光谱反射法、光谱椭偏法、白光干涉轮廓测量、纳米压痕、台阶仪与接触角测量等全线技术手段，拆解不同品类光刻胶（G 线至 EUV）光学常数差异、多层膜信号耦合、产线振动与温漂等叠加难题，并给出「配方预置、模型定制、远程诊断、上门复测」的可落地解决思路。
光刻胶与薄膜测量的行业背景、技术演进与市场政策趋势（G 线到 EUV）
光刻胶薄膜测量的核心技术挑战：材料复杂性、衬底干扰与先进制程新要求
技术路径与方法论：主流测量原理、关键参数解读、数据建模与误差控制
优尼康光刻胶测量方案与合规性：设计理念、行业标准对标与测量能力参数
典型应用场景与七则实测案例（BARC / 显影台阶 / PI 厚膜 / 原料树脂 / 缺陷 / 杨氏模量 / 旋涂）
膜厚：旋涂与前烘后的均匀性监控，亚纳米级重复精度
光学常数：曝光前后的 n、k 值漂移监测（193nm 折射率与消光系数）
台阶形貌：显影后台阶高度与三维形貌表征
力学性能：固化后硬度与杨氏模量测量
表面润湿性：接触角与表面能表征
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