碳化硅（SiC）作为第三代半导体代表材料，在功率器件、光电子器件中应用日益广泛。本文介绍用 Filmetrics F50-UV（及 F54-XY-200-UV）对 SiC 化合物半导体外延层及介质膜厚度（1000–20000Å 范围）进行测量，覆盖功率二极管、MOSFET 等器件工艺中的膜厚监控需求。
紫外增强，适合 SiC 等宽带隙材料测量
匹配产品型号 F50-UV / F54-XY-200-UV，厚度范围 1000–20000Å
非接触无损，支持 Mapping 测试数据参考
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