BACKGROUND
光通信芯片与磷化铟（InP）行业背景
磷化铟（InP）是一种III-V族化合物半导体材料，具有闪锌矿晶体结构，其电子迁移率（约5400 cm²/(V·s)）是硅（约1400 cm²/(V·s)）的近4倍，饱和电子漂移速度也显著优于硅和砷化镓。这些优异的电学特性，加上其1.34 eV的直接带隙，使其成为光通信和高速电子器件的理想衬底材料。
在AI算力需求爆发式增长的背景下，磷化铟已成为实现高速光模块（800G、1.6T及未来3.2T）中EML激光器、PIN光电探测器等核心光芯片的关键材料。InP材料的重要性体现在：
高频性能卓越
InP基HEMT和HBT器件的工作频率可超过300 GHz，是5G/6G通信和雷达系统的核心。
光通信黄金波长
InP基激光器和探测器完美覆盖光纤通信的最低损耗窗口（1310nm和1550nm）。
集成光子学平台
InP可同时集成有源和无源光子器件，是实现光子集成电路（PIC）的关键材料。
不可替代性
在高速直接调制激光器和电吸收调制激光器领域，InP材料体系目前尚无成熟的可替代方案。
磷化铟产业链涵盖衬底制备（单晶生长、切割、研磨、CMP）、外延生长（MOCVD/MBE）、光芯片制程（光刻、刻蚀、镀膜、金属化）及封装测试。每个环节的工艺控制都依赖于精准、无损的计量手段。
