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磷化铟芯片氧化硅与光刻胶厚度测量：从工艺控制到无损检测的精度升级

磷化铟芯片制造中氧化硅钝化层与光刻胶厚度直接影响器件性能与良率。本文解析SiO₂钝化、光刻胶涂覆工艺中的厚度控制挑战，以及优尼康科技提供的Filmetrics光学膜厚仪无损测量方案。支持多层膜同步分析、免制样、秒级检测，满足产线高频次监控需求。

2026-07-13 优尼康

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迁址公告 - 翌颖科技（上海）有限公司及东莞分公司办公地址变更通知

翌颖科技（上海）有限公司及东莞分公司已正式迁至新址办公。上海新址：浦东张东路1388号科技领袖之都西区24幢01室；东莞新址：南城科创路100号AI产业中心5号楼902-905室。电话400-186-8882。请更新您的通讯信息。

2026-07-13 优尼康

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磷化铟InP端面AR/HR反射率测量：从1%偏差到光功率10%下降的精度挑战

反射率偏离设计值1%即可导致光功率下降10%以上，磷化铟光芯片端面AR/HR镀膜反射率控制面临巨大挑战。本文深入解析端面镀膜位置、传统测量方法的三大局限，以及优尼康科技提供的Filmetrics F20近红外反射率测试方案。F20覆盖1310nm/1550nm通信波段，最小光斑50μm，1秒极速测量，精确监控芯片端面镀膜质量。

2026-07-12 优尼康

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