| 会议名称 | 2026薄膜铌酸锂光子芯片前沿技术与产业研讨会 |
| 会议时间 | 2026年9月16日 |
| 会议地点 | 苏州合景万怡酒店 |
| 优尼康报告 | 11:35-12:00 应用技术经理 陆伟 |
1.6T 光模块放量，把薄膜铌酸锂（TFLN）高速调制器推到产业前台。这类器件的基材是 LNOI 键合晶圆，结构上由铌酸锂薄膜、SiO₂ 埋层、硅衬底三层叠加而成。晶圆出厂时的膜厚与均匀性，直接决定后续波导刻蚀和调制器性能的一致性。
相比器件端的工艺讨论，衬底与晶圆环节的量测往往容易被低估。薄膜铌酸锂膜厚通常在数百纳米量级，SiO₂ 埋层在微米量级，两层叠在一起又是多层透明膜，测量方法选不对，数据本身就不够可信。衬底工艺稳定可控，器件放量才有起点。
陆伟的报告围绕衬底与 LNOI 晶圆环节展开，主要回答三个问题：
LNOI 晶圆要测什么。铌酸锂薄膜厚度直接决定波导的等效折射率与单模条件，SiO₂ 埋层负责光场约束，两层参数都需要在晶圆出厂前完成测量确认。
两层透明膜怎么一次测准。单层近似的方法分辨不出双层结构，需要光谱反射法在宽波段采集反射光谱，同时反演出铌酸锂薄膜与 SiO₂ 埋层两个厚度；对膜层更薄、建模要求更高的场景，可配合光谱椭偏仪测定光学常数。
整片一致性怎么看。单点合格不等于整片均匀，晶圆级量产需要膜厚 Mapping 评估整片分布。Filmetrics F54 系列支持大尺寸晶圆自动测绘，适配 LNOI 键合晶圆铌酸锂薄膜与 SiO₂ 埋层的双参数批量检测，相关方案可查看 F54 膜厚仪 与 F50 膜厚仪 产品页。
会议期间，优尼康科技在会场设展台，准备 LNOI 晶圆与薄膜样品的量测演示，欢迎携带样品现场交流。样品实测需求可提前致电 400-186-8882 与工程师沟通，会议现场与会后均可对接。
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