半导体制造流程中，薄膜参数直接决定芯片良率，光刻胶、氧化硅、氮化硅等膜层的厚度偏差会造成图形转移失效，高精度薄膜测厚仪成为晶圆工艺质控环节的核心设备。在半导体晶圆生产、先进封装等场景下，传统切片、接触式测厚手段容易损伤晶圆样品，且很难达到纳米级检测精度，优尼康所提供的检测方案，依靠光谱反射干涉技术，借助高精度薄膜测厚仪完成非接触式检测，规避样品损伤风险，适配从实验室研发到大批量产线的不同测量诉求。
从硬件参数来看，不同配置机型覆盖1nm‑450μm测量区间，部分型号垂直测量精度可达0.02nm，稳定性低至0.05nm，测量光斑最小可以做到20微米，既能够测量大面积晶圆，也可以针对微小区域开展定点检测。整套设备通过USB接口完成和电脑的通讯，设备部署简单，完成参数配置之后数秒即可输出测量结果。针对晶圆量产的均匀性评估需求，可选用带自动位移平台的机型，每秒可完成2个点位的采集，支持自定义测量点位，输出二维、三维厚度Mapping分布图，直观呈现整张晶圆的膜厚分布差异。
除光刻胶之外，高精度薄膜测厚仪同样适配氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺、ITO透明导电膜等半导体常见光滑半透明薄膜，覆盖1‑300mm尺寸区间的晶圆样品，平面以及适度弯曲的样品表面均可完成检测。科研端主要用于新工艺配方开发，记录不同工艺条件下膜厚变化规律；产线端用于来料抽检、机台工艺验证，实时监控镀膜、涂胶设备的工作状态。优尼康在服务过程中，支持客户寄送样品开展免费预测试，在采购前验证设备和自身工艺的匹配度，降低设备投入风险。
其次传统检测手段单一样品检测耗时久，很难满足产线大批量的检测需求。高精度薄膜测厚仪完成参数标定后，单点位测量仅需数秒，搭配自动样品台，就能够完成整张晶圆多点Mapping测绘，把膜层均匀性可视化，帮助工艺人员快速定位晶圆边缘、中心区域的工艺偏差。设备配套专业分析软件，内置大量常见材料数据库，自动保存每一组测试数据，方便后续做数据回溯与工艺对比。
同时还要确认光斑尺寸是否满足微小区域测量需求，部分晶圆局部微区，需要更小光斑才可以采集有效信号。软件层面要确认材料数据库、数据导出、历史记录等功能，是否匹配内部实验记录、产线报表输出的规范。优尼康依托多年行业项目积累，结合客户实际工艺条件输出定制化的测量方案，不局限于硬件交付，同步提供安装调试、人员操作培训、后期技术答疑整套配套服务。
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