一、玻璃基板为什么被推到先进封装前台
封装载板负责把芯片的 I/O 扇出到主板。这类载板过去主要用 BT 树脂、ABF 积层或陶瓷,工艺成熟、良率高。问题是布线密度与抗翘曲能力都接近上限。以 50 × 50 mm 的面板为例,有机载板多层压合之后的翘曲常在 50-100 μm 这个量级;而 AI 加速器这类面积超过 800 mm² 的大芯片装在载板上,翘曲超过 50 μm 就足以在回流焊时造成虚焊与桥连。
玻璃在这个场景里有几项材料属性刚好对得上。热膨胀系数约 3.2 ppm/°C,与硅接近,热循环中的尺寸失配小;表面平整度高,抗翘曲;介电损耗低,适合高频传输;材料透光,临时键合之后可以用激光解键合,剥离损伤小;行业资料对材料成本的一项测算,玻璃约为硅衬底的八分之一。落到量产形态上主要有两种,玻璃芯基板(Glass Core Substrate)作为载板本体,玻璃载板(Glass Carrier)作为制程中的临时支撑材料。
产业侧的节奏已经很清楚。据 Omdia 测算,2026 年全球封装玻璃基板市场规模约 186 亿美元,2030 年有望突破 320 亿美元。英特尔、三星电机、台积电都已公布玻璃基板或面板级封装的技术路线与产线安排;京东方投资建设的板级玻璃基封装载板试验线在 2026 年上半年全线通线,月产能 1000 片,已完成 TGV 钻孔、填铜与高层 RDL 的完整工艺流程并向客户送样;沃格光电、蓝思科技、凯盛科技也在推进各自的产线与中试线。
但从样品走到稳定量产,卡点集中在 TGV(玻璃通孔)的良率、成本与批量一致性上。这些问题里相当一部分最终会回到同一件事,尺寸有没有测准。
二、材料换了,要测的东西也变了
玻璃基板上需要测量的对象大致分成四类,各自的指标与难点不一样。
| 测量对象 | 关键指标 | 主要难点 |
|---|---|---|
| 玻璃本体 | 厚度、总厚度偏差 TTV、弓形与翘曲、表面粗糙度 Ra、边缘崩边 | 材料透明、片薄、面板尺寸大 |
| 玻璃通孔 TGV | 顶部孔径、底部孔径、最小内径、孔深、锥度、圆度、位置度、侧壁粗糙度、出入口崩边 | 深宽比高、孔壁在材料内部 |
| 通孔填铜 | 铜面凹陷、凸起、过镀厚度、内部空洞 | 需要亚微米级高度分辨 |
| RDL 与介质层 | 介质层厚度、铜线厚度、线宽与间距 | 多层透明膜叠加、铜走线起伏 |
四类对象的尺度差别很大。玻璃本体的厚度在几百微米,填铜后铜面与玻璃面的高度差要看到亚微米,RDL 介质层厚度则落在微米量级。这不是一台设备能全包的活,常见做法是形貌类与膜厚类分工。形貌归非接触光学轮廓,膜厚归光谱反射法与椭偏法。
三、玻璃本体:厚度、TTV 与翘曲
玻璃芯当前的厚度主流落在 300-700 μm,技术路线往 100 μm 走;玻璃载片可以更薄。TTV 是整片厚度的极差,Samtec 公开的玻璃芯设计规则里,200 μm 与 400 μm 厚的硼硅玻璃 TTV 控制在 15-20 μm,同族的熔融石英片给到 20 μm。
翘曲在面板级更受关注。玻璃基板常用的面板尺寸是 510 × 515 mm 或 600 × 600 mm,面积远大于 300 mm 晶圆。报翘曲值的时候要分成弓形与扭曲两项,前者是球面状的弯曲量,后者是非球面对角线方向的最大偏离;同时必须写明测量温度、是自由状态还是支撑状态、边缘排除范围。这几项不写清楚,不同批次、不同供应商的数据之间没法比较。
测量方式上,厚度与 TTV 用非接触光学轮廓沿扫描线取上下表面高度差;整片翘曲用面扫描拿到高度场,拟合到基准面后取极差。玻璃透光,这既是便利也是麻烦,上下表面都会反光,仪器必须把两路信号分开。白光干涉靠低相干特性区分上下表面,共聚焦按轴向层析返回信号,两种方式在透明样品上都能拿到厚度信息,选哪种取决于行程范围与所需分辨力。
有两个坑容易踩。一是不要在成品玻璃上划接触式探针,玻璃脆,探针留下的划痕会直接变成失效点,形貌测量优先用非接触方式。二是薄片要有平整支撑,真空吸附带来的变形会被一并算进翘曲,测量前先确认支撑方式与自由状态的差别有多大。
翘曲的复测节点不止一个。成孔前、成孔后、填铜后、退火后、铜平坦化后、RDL 完成后、热可靠性试验之后,每一步都可能改变应力状态。载板类产品如果涉及激光解键合,还要加上解键合前后的对比,因为可重复使用的载板需要知道形变能不能回到初始值。
四、TGV:孔径、孔深、锥度与填铜形貌
通孔的尺寸规格可以先拿公开数据做参照。Samtec 的玻璃芯设计规则里,200-400 μm 厚的硼硅玻璃,通孔顶径 40-65 μm、公差 ±5 μm,间距按顶径的两倍取,位置精度 ±25 μm;其技术路线把顶径推向 10 μm、间距 40 μm。行业量产能力大致在孔径 50 μm、间距 80 μm、深宽比 8:1 这一档,研究水平可以做到 10 μm 孔径与 20:1。国内沃格光电公布的 TGV 技术可达 150:1 的深宽比、最小孔径 3 μm。
成孔工艺决定了孔形。当前主流是激光诱导蚀刻,先用飞秒激光在玻璃内部诱导出改质区,再用湿法刻蚀把改质区去掉,锥度可以从早期工艺的 50% 优化到接近垂直。但孔不一定就是直筒,也可能带明显锥度、呈沙漏形,或者入口与出口尺寸不对称。这也是为什么图纸上只写一个孔径不管用,至少要分别标顶部孔径、底部孔径,必要时补中间直径与最小内径,再补锥度角、孔深、圆度与位置度,并且写清直径是在哪个深度位置测的。验收条件里还要给出入口崩边宽度、裂纹容许长度与侧壁粗糙度。
测量上的分工也比较清楚。入口形貌与崩边用白光干涉或共聚焦做小区域面扫描,直接看边缘缺口;孔深与侧壁轮廓用共聚焦沿截面线扫描,靠轴向层析分别定位上端面与下端面。深宽比一高,光学方法就进不去孔内,孔内空洞与填铜不实这类内部缺陷只能靠 X 射线断层扫描抽检,或者做破坏性截面在扫描电镜下确认。
填铜之后要测铜面相对玻璃面的高度差。铜面低于玻璃面叫凹陷,高出来叫凸起,两个方向都会影响后续 RDL 的平坦度与光刻焦深,这一项需要亚微米级的高度分辨,白光干涉在这个尺度上比较合适。
有一个环节值得单独设一道检测。成孔入口的崩边会直接破坏后续种子层的连续性,种子层一断,电镀铜就填不实,这是填铜不良的常见源头之一。与其在收尾工序挑废品,不如在成孔之后就把崩边卡住,用非接触面扫描按位置度网格抽测,成本低得多。
五、RDL 与介质层:膜厚与线宽
玻璃芯上做 RDL,介质层用聚酰亚胺或 ABF 这类材料,铜线厚度 1-10 μm,线宽与间距可以做到 15 μm,技术路线往 10 μm 走。介质层的厚度均匀性会同时影响阻抗与后续光刻的焦深。
介质层厚度用光谱反射法测。带自动载物台的机型把整片按设定点阵扫一遍,输出厚度分布图与统计值,适合看整片均匀性。这里有一个具体注意点。介质层下面是玻璃,玻璃下面还有铜走线,反射信号会在纯介质区与铜区之间发生跳变。测点要落在纯介质区,批量测量时用图案识别把光斑对准介质区,或者把铜区排除在扫描网格之外。多层叠加结构(介质层、钝化层、种子层)需要把光谱范围拉开,先把已知层固定成常数,再拟合剩余的未知层。
铜线厚度受线宽限制。线宽到十几微米时,反射法的光斑会同时覆盖铜线与两侧介质,拿到的是混合信号,数值只能作参考。这种情况改用非接触光学轮廓沿一条线扫过铜线与介质区,取台阶高度;对铜面上的厚度与台阶做点位复核,用探针式台阶仪抽检,落点选在铜面上,避开裸露玻璃区域。
六、把测量放进工艺流
把上面的项目按工序排一下,每一道需要什么数据就比较直观了。
| 工序 | 要测的项 | 适宜的方法 |
|---|---|---|
| 玻璃来料 | 厚度、TTV、弓形与翘曲、表面粗糙度、边缘崩边 | 非接触光学轮廓、白光干涉面扫描 |
| 成孔后 | 孔径、孔深、锥度、位置度、入口崩边、侧壁状态 | 共聚焦沿截面线扫描、白光干涉小区域面扫 |
| 填铜后 | 铜面凹陷与凸起、过镀厚度、孔内空洞 | 白光干涉测高度场;空洞用 X 射线断层抽检 |
| 铜平坦化后 | 铜面平整度、剩余铜厚、划伤 | 白光干涉面扫描,台阶仪点位抽检 |
| RDL 后 | 介质层厚度分布、铜线厚度、线宽与间距 | 光谱反射法 Mapping;线厚用光学轮廓或台阶仪 |
| 载板与临时键合 | 厚度均匀性、翘曲、解键合后的残留 | 光学轮廓面扫描,反射法测残留膜厚 |
表格里没有一项是单靠一台设备能做完的。形貌类(厚度、TTV、翘曲、台阶、粗糙度)归非接触光学轮廓与白光干涉,膜厚类(介质层、钝化层、残留层)归光谱反射法与椭偏法。两类设备放在同一个洁净环境里并行,测点坐标对齐到同一套基准,数据之间才有比对价值。如果形貌与膜厚各自用一套坐标系,回头对着两张图争论差异来自工艺还是来自测量,成本要高得多。
七、结语
玻璃基板把载板材料从有机树脂换成了玻璃。对测量来说,难点不在原理,而在对象,材料透明、片子薄、尺寸大,同时还要在微米级甚至亚微米级上给出结论。
处理这类样品,非接触是前提,形貌与膜厚分开选方法是效率比较高的组合。另外几件事建议在工艺文件里先定下来。翘曲的复测节点有哪几个、孔径在哪个深度位置定义、扫描网格怎么排、铜区怎么排除。先定规则再出数据,比事后争论数据为什么对不上要省事。
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