厚光刻胶作为微机电系统 (MEMS)、微流控器件和先进封装工艺中的关键材料，其厚度均匀性直接影响产品的性能与良率。然而，SU-8 等厚光刻胶的厚度通常可达数十至数百微米，传统可见光测厚仪因波段限制无法有效穿透，测量结果往往存在较大偏差，成为制约工艺提升的技术瓶颈。作为精密薄膜测量领域的专业服务商，优尼康科技推出的 Filmetrics F3-sX 光学厚膜测厚仪，凭借独家近红外光谱反射技术，解决了厚光刻胶测量的行业难题。
一是厚光刻胶对 380-1050nm 波段的可见光具有强吸收特性，传统可见光测厚仪的光源无法穿透胶层到达基底，无法形成完整的干涉光谱，导致测量结果完全失真。
二是厚光刻胶涂覆工艺后表面粗糙度通常超过 1μm，传统测厚仪标配的 1.5mm 大光斑会将表面起伏的信号平均化，无法反映局部厚度的真实差异，而 MEMS 器件的微结构区域往往需要微米级的厚度精度控制。
三是传统测量方式多依赖破坏性的断面扫描电镜检测，单个样品检测耗时超过 2 小时，且无法重复利用，极大增加了研发与生产成本。
这款测厚仪标配 10μm 微小测量光斑，能够精准聚焦于样品表面的微区，有效避开粗糙表面的高低起伏干扰，即使是 MEMS 器件中宽度仅 20μm 的微结构区域，也能实现高精度的局部胶厚测量。同时，系统支持高达 1kHz 的测量速率，不仅能满足实验室快速样品检测需求，还可集成至卷对卷 (R2R) 生产线中，实现连续生产过程中的实时膜厚监控。
F3-s980 为成本优化型，波长范围 960-1000nm，适合常规厚膜测量，最大测量厚度可达 1.5mm
F3-s1310 专为重掺杂硅优化，波长范围 1280-1340nm，可准确测量低电阻率硅片上的厚光刻胶与外延层
F3-s1550 为超厚膜型，波长范围 1520-1580nm，测量范围最高可达 3mm，适用于极限厚膜与化合物半导体测量
值得一提的是，这款测厚仪还可选配可见光波段扩展模块 (380-1050nm)，将测量下限从 15nm 进一步延伸至纳米级超薄膜。一台设备即可覆盖从超薄光学镀膜到 3mm 厚膜的全量程测量需求，特别适合同时拥有多种厚度范围样品的综合性实验室与产线。
引入优尼康 Filmetrics F3-sX测厚仪后，该企业彻底解决了这一生产瓶颈。技术人员表示："SU-8 胶厚动辄几十到上百微米，普通的可见光反射仪很难测准，优尼康这款测厚仪的近红外波段和 10μm 光斑完美解决了这个问题。
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