优尼康科技代理ONTO Celero-PL化合物半导体缺陷检测系统，面向碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶圆及外延层的表面与亚表面晶体缺陷检测与分类，5检测通道含光致发光（PL），晶圆尺寸100-300mm，颗粒灵敏度≥90nm，不旋转设计，适配研发与大批量生产。支持免费样品测试与本地化技术支持。
面向 SiC / GaN 化合物半导体的表面与亚表面晶体缺陷检测，5 检测通道含光致发光（PL）
ONTO Celero-PL 是优尼康科技代理的化合物半导体缺陷检测系统，专为碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶圆及外延层的表面与亚表面缺陷检测和分类而设计。
随着化合物半导体在功率器件、射频与光电子领域的快速渗透，行业对 SiC、GaN 材料的晶体质量管控需求显著提升。Celero-PL 利用基于激光的相位检测与成像功能，结合定制化光学与图像处理算法，通过多光源、多传感器通道，可检测、测量并成像块状晶圆与外延层相关的各类次表面晶体缺陷、表面颗粒、划痕、凹坑、表面污染、污渍、点状与块状晶圆应力、空隙与夹杂物，以及晶圆边缘的崩边与裂纹。
设备提供手动、自动开盒与 EFEM 多种晶圆处理选项，兼顾研发与大批量生产，以较低的单次拥有成本提供同类较好的吞吐量与灵敏度，适配快速增长的化合物半导体市场。
配备光致发光（PL）、偏振、斜面、明场、暗场共 5 个检测通道，PL 通道可揭示外延层亚表面晶体缺陷（层错、基面位错、微管、三角形缺陷等），从多物理维度区分缺陷类型。
支持基底至外延层缺陷映射（次缺陷映射），全表面扫描正面、背面与边缘，配合亚纳米级成像灵敏度，定位缺陷在衬底与外延层中的分布。
可稳定处理 100 μm 超薄至 10 mm 厚型晶圆，覆盖减薄晶圆（含薄膜框架处理）、厚晶圆与种子晶圆的表面与次表面检测。
提供手动、自动开盒与 EFEM 多种处理选项，兼顾研发实验室与大批量产线，部署灵活，适配不同产能需求。
系统采用不旋转设计，晶圆边缘接触面积小，降低脆性化合物半导体在检测过程中的边缘损伤风险。
搭载基于图像的缺陷自动分类功能，支持在线与离线双模式复检，可自动判别缺陷种类并归类尺寸与位置。
| 应用领域 | 测量场景 | 典型样品 |
|---|---|---|
| SiC 质量管控 | 检测碳化硅（SiC）衬底与外延层中的层错、基面位错、微管、三角形缺陷、微凹坑簇等晶体缺陷，评估外延良率。 | SiC 衬底、SiC 外延片 |
| GaN 质量管控 | 检测氮化镓（GaN）晶圆与外延层中的晶体缺陷与亚表面异常，支撑射频与功率器件工艺。 | GaN 晶圆、GaN 外延片 |
| 减薄晶圆检测 | 对减薄至 100 μm 量级的晶圆（含薄膜框架处理）进行表面与次表面缺陷扫描，监控研磨后显现缺陷。 | 减薄晶圆、薄膜框架晶圆 |
| 光电子材料 | 面向基于晶圆的 microLED、VCSEL、边发射激光材料，以及 AR/VR/MR 相关材料与结构进行缺陷率统计。 | microLED / VCSEL 材料 |
| 应力与雾度 | 进行跨晶圆与点应力映射，检测雾度、翘曲晶圆计量，评估材料一致性与工艺均匀性。 | 厚晶圆、种子晶圆 |
支持手动、自动开盒与 EFEM 自动化处理，兼顾研发实验室与大批量产线，灵活适配不同产能的晶圆检测需求。
可稳定处理 100 μm 超薄至 10 mm 厚型晶圆，覆盖减薄晶圆（含薄膜框架处理）、厚晶圆与种子晶圆的表面与次表面检测。
不旋转设计使晶圆边缘接触面积小，降低脆性化合物半导体在检测过程中的边缘损伤风险，适合 SiC、GaN 等硬脆材料。
基于图像的缺陷自动分类可自动判别缺陷种类、归类尺寸与位置，并可在软件中直接放大观察缺陷状态，支持在线与离线双模式复检。
| 参数名称 | 规格 |
|---|---|
| 晶圆尺寸 | 100 – 300 mm |
| 颗粒缺陷灵敏度 | ≥90 nm（PSL） |
| 表面污染灵敏度 | ≥5 Å |
| 晶圆厚度范围 | 薄：≥100 μm / 厚：≤10 mm |
| 检测通道 | 光致发光（PL）、偏振（Polarization）、斜面（Slope）、明场（Bright Field）、暗场（Dark Field） |
| 检测面 | 正面 / 背面 / 边缘（FS / BS / Edge）全区域 |
| 成像灵敏度 | 亚纳米级 |
| 晶圆处理 | 手动 / 自动开盒 / EFEM |
| 缺陷映射 | 基底至外延层缺陷映射（次缺陷映射） |
| 晶圆接触 | 不旋转设计，边缘接触面积小 |
| 工作模式 | 在线 / 离线 双模式复检 |
| 缺陷管理 | 基于图像的自动分类、缺陷位置刻标、缺陷图与报告 |
| 完整参数（扫描时间、重复性、自动化配置等）请联系客服获取 | |
软件使用来自多个探测器任意组合的数据生成缺陷图与报告，可输出缺陷地图、缺陷数量、彩色编码缺陷与缺陷尺寸，支持基底至外延层缺陷映射。
基于图像的缺陷自动分类可在软件中直接放大观察缺陷状态，并支持缺陷位置刻标，便于后续失效分析与在线 / 离线双模式复检。
Celero-PL 通过 5 通道成像对 SiC / GaN 晶圆进行全表面（正面 / 背面 / 边缘）扫描，可区分层错、基面位错、微管、三角形缺陷等亚表面晶体缺陷，并借助基底至外延层缺陷映射定位缺陷分布。
以下为 ONTO Celero-PL 的典型测量与应用实景
成型不佳的TGV
裸晶圆拓扑图
缺陷诱导应力线的偏振图
深色：顶部污渍，亮色：底部污渍
ONTO Celero-PL 由 Onto Innovation 制造，优尼康科技作为其中国区代理，提供从选型咨询、安装培训到售后的本地化技术支持。如需评估样品适用性，可寄送样品或由工程师协助测试，确认测量方案后再行采购。
“SiC 外延的层错和微管一直难检，PL 通道把亚表面缺陷也抓出来了，对碳化硅良率提升帮助很明显。”
“减薄到 100 多微米还能稳定扫，薄膜框架处理也支持，我们的薄晶圆检测终于不用愁了。”
“厚晶圆到 10 mm 也能上机，手动 / 自动开盒切换方便，研发验证和小批量产线都够用。”
Celero-PL 面向无图案晶圆与外延层的表面和次表面缺陷与污染检测，专为碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）等化合物半导体设计。可检测块状晶圆与外延层相关的次表面晶体缺陷（层错、基面位错、微管、三角形缺陷等）、表面颗粒、划痕、凹坑、污染、污渍、点状与块状晶圆应力、空隙与夹杂物，以及晶圆边缘的崩边与裂纹。
化合物半导体的关键缺陷（如外延层中的层错、基面位错、微管）多位于亚表面，常规明场 / 暗场难以识别。光致发光（PL）通道通过激发材料荧光响应，可揭示外延层亚表面晶体缺陷并完成基底至外延层缺陷映射，是 SiC / GaN 质量管控的重要能力。
晶圆尺寸支持 100–300 mm；晶圆厚度覆盖 100 μm 超薄至 10 mm 厚型，包含减薄晶圆（含薄膜框架处理）、厚晶圆与种子晶圆的表面与次表面检测。
支持手动、自动开盒与 EFEM 三种晶圆处理选项，兼顾研发实验室与大批量产线，可灵活适配不同产能的检测需求。
颗粒缺陷灵敏度 ≥90 nm（PSL），表面污染灵敏度 ≥5 Å，成像为亚纳米级。检测通道为光致发光（PL）、偏振、斜面、明场、暗场共 5 个通道。
四款同属 ONTO 缺陷检测产品线：Celero-PL 面向 SiC / GaN 等化合物半导体的亚表面晶体缺陷检测，具备光致发光（PL）第 5 通道；PrimaScan 为无图形晶圆与均质膜层的量产主力；PrimaScan R&D 为研发与实验室手动上料机型；PrimaScan P 面向玻璃面板与先进封装（AICS / FOPLP）。具体差异见本页底部选型对比表。
| 对比项 | PrimaScan | PrimaScan R&D | PrimaScan P | Celero-PL |
|---|---|---|---|---|
| 检测对象 | 无图形晶圆 / 均质膜层 | 研发、实验室晶圆与试样 | 玻璃面板（AICS / FOPLP） | 化合物半导体（SiC / GaN）亚表面 |
| 检测通道 | 偏振 / 斜面 / 明场 / 暗场（4） | 偏振 / 斜面 / 明场 / 暗场（4） | 偏振 / 斜面 / 明场 / 暗场（4） | PL / 偏振 / 斜面 / 明场 / 暗场（5） |
| 样品尺寸 | 100–300 mm | 最大 300 mm（手动独立式） | ≤600 × 600 mm 面板 | 100–300 mm |
| 颗粒灵敏度 | ≥90 nm（PSL） | ≥90 nm（PSL） | ≥150 nm（PSL） | ≥90 nm（PSL） |
| 表面污染 | ≥5 Å | ≥5 Å | ≥5 Å | ≥5 Å |
| 厚度范围 | ≥100 μm – ≤7 mm | ≥100 μm – ≤7 mm | ≥100 μm – ≤5 mm | ≥100 μm – ≤10 mm |
| 上料方式 | 手动 / 卡匣 / SMIF / EFEM | 独立式手动上料 | 手动 / EFEM 自动化 | 手动 / 自动开盒 / EFEM |
| 典型应用 | 来料质检 / 在线工艺监控 | 研发与实验室缺陷分析 | 先进封装玻璃面板 QC | SiC / GaN 晶体缺陷分类 |
不确定您的 SiC / GaN 晶圆是否适合 Celero-PL 测量？优尼康科技提供免费样品测试与选型咨询，专业工程师将协助您确认晶圆尺寸、上料方式与 PL 通道配置。
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