KLA R50 四探针薄膜方阻测试仪

优尼康科技提供的KLA R50四探针电阻率测量仪,提供接触式四点探针(4PP)与非接触式电涡流(EC)两种测量方案,测量范围跨越10个数量级,精度高达±0.2%。KLA在R50上研发了双模技术,配置边界效应动态校正和探针间距误差补偿功能,兼容KLA所有薄膜电阻测量探针。200mm XY电动平台支持矩形、线性、极坐标及自定义等多种测绘模式,RSMapper软件灵活易用。适用于半导体晶圆制造、化合物半导体、平板和VR显示、先进封装、太阳能电池、印刷电路、穿戴设备及导电材料等行业,满足从半导体制造到柔性电子产品各类导电薄膜的电阻监控与厚度测量需求。优尼康科技提供专业技术支持。

  • 产品名称 四探针薄膜方阻测试仪
  • 品牌 KLA
  • 产品型号 R50
  • 产地 美国
KLA R50 四探针薄膜方阻测试仪 | 接触式/非接触式双模电阻测量系统

KLA R50 四探针薄膜方阻测试仪

接触式四点探针(4PP) + 非接触式电涡流(EC)双模技术 | 全自动Mapping电阻率测量系统


KLA R50 四探针薄膜方阻测试仪

1010
测量范围(数量级)
±0.2%
4PP测量精度
200mm
XY电动平台
60mm
Z轴行程
4PP/EC
双模技术
产品介绍

KLA R50 四探针薄膜方阻测试仪 提供接触式四点探针(4PP)与非接触式电涡流(EC)两种测量方案,测量范围跨越10个数量级,4PP精度高达±0.2%。KLA在R50上研发了双模技术,配置边界效应动态校正和探针间距误差补偿功能,兼容KLA所有薄膜电阻测量探针。

200mm XY电动平台支持矩形、线性、极坐标及自定义等多种测绘模式,RSMapper软件灵活易用。适用于半导体晶圆制造、化合物半导体、平板和VR显示、先进封装、太阳能电池、印刷电路、穿戴设备及导电材料等行业。

行业标杆
KLA R50 是半导体和泛半导体行业薄膜电阻测量的理想工具,从半导体制造到柔性电子产品,满足各类导电薄膜的电阻监控与厚度测量需求。
核心优势
双模技术

接触式四点探针(4PP) + 非接触式电涡流(EC),覆盖10个数量级测量范围,灵活应对不同导电薄膜材料。

边界效应动态校正

内置边界效应补偿和探针间距误差校正,确保边缘区域测量准确性。

全自动Mapping

200mm XY电动平台,支持矩形、线性、极坐标及自定义测绘模式,RSMapper软件可视化电阻分布图。

高精度测量

4PP精度±0.2%,EC精度±1%,测量点重复性优于0.02%。

灵活探针兼容

兼容KLA全系列薄膜电阻测量探针,适配不同表面材料和工艺需求。

典型应用领域
半导体晶圆
化合物半导体
平板/VR显示
先进封装
太阳能电池
印刷电路
穿戴设备
导电材料
离子注入表征
金属薄膜均匀性
薄膜厚度/电阻率
LED/OLED
测量原理
四点探针 (4PP)
四个导电探针以可控力接触导电层表面,外侧探针施加电流,内侧探针测量电压。导电层厚度应小于探针间距的1/2。KLA R50采用双模技术,支持间隔探针电压测量,配置边界效应动态校正和探针间距误差补偿,适用于大多数导电薄膜或离子注入层。
电涡流 (EC)
非接触式测量技术。通过线圈施加时变电流产生时变磁场,在导电表面感应出涡流,涡流产生的反向磁场与探针线圈耦合,信号变化与样品电阻成比例。KLA独特的EC技术可动态调整每个测量点的探头高度,不受探头尺寸或表面氧化影响,适合软质或不适用4PP的样品。
四探针测量原理示意图
产品参数
产品型号R50 (4PP/EC双配置)品牌KLA
测量技术四点探针(4PP) / 电涡流(EC)测量范围跨越10个数量级
4PP精度±0.2%EC精度±1%
测量点重复性(4PP)<0.02%测量点重复性(EC)<0.2%
XY电动平台200mm × 200mmZ轴行程60mm (自动)
样品台最大承重2.5kg倾斜样品台±5° 手动
测绘模式矩形、线性、极坐标、自定义点阵
软件RSMapper (数据采集/分析/可视化)
探针兼容性兼容KLA所有薄膜电阻测量探针
更多定制配置请联系优尼康科技
产品应用详解
金属薄膜均匀性

4PP/EC均可测量金属薄膜电阻均匀性,两者高度相关。EC推荐用于较厚高导电金属膜,4PP适用于较薄金属膜(>10Ω/sq)。电阻分布图表征薄膜均匀性及工艺波动。

离子注入表征

4PP法是离子注入工艺的标准测量技术。热退火后测试注入分布,识别热点/冷点及注入剂量变化。

薄膜厚度/电阻率

通过输入材料电阻率可计算膜厚分布;或输入膜厚数据计算电阻率分布,灵活适配不同分析需求。

数据采集与可视化

RSMapper软件集成数据采集与强大分析功能,直观可视化界面,轻松设置测量点,支持离线使用。

测量数据展示
R50电阻率分布图R50 Mapping结果

典型薄膜电阻分布图 & Mapping可视化结果

客户评价

“KLA R50的双模技术极大简化了我们晶圆厂金属膜电阻的测量流程。EC非接触方式保护了软质金属层,4PP则用于高精度表征,RSMapper的电阻分布图非常直观。”

—— 半导体晶圆制造厂 良率工程部

“用于化合物半导体离子注入均匀性监控,R50的边界效应校正功能让边缘die的测量数据更可靠,重复性极佳,是我们工艺控制的得力工具。”

—— 化合物半导体厂商 工艺整合
常见问题
4PP和EC两种模式如何选择?+

4PP适用于较薄金属膜(>10Ω/sq)和离子注入层,精度更高;EC适用于较厚高导电金属膜、软质表面或易氧化材料,非接触式测量不损伤样品。两种模式结果高度相关,可互为验证。

R50支持最大样品尺寸是多少?+

配置200mm XY电动平台,支持最大200mm×200mm样品(如8英寸晶圆),Z轴行程60mm可自动聚焦,承重2.5kg。

边界效应动态校正有什么作用?+

靠近样品边缘测量时,电流分布会受影响导致电阻测量偏差。边界效应动态校正自动补偿边缘效应,确保从中心到边缘的测量数据一致准确。

可以自定义测量点位吗?+

可以。RSMapper软件支持矩形、线性、极坐标等多种预设模式,也支持用户自定义无限数量测量点,数分钟内完成配方建立。

R50可以测量薄膜厚度吗?+

可以间接测量。输入已知材料的电阻率,R50可通过电阻值计算薄膜厚度分布;反之输入厚度可计算电阻率分布,适用于导电薄膜的厚度监控。

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标签: KLA 四探针

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