KLA R54 四探针电阻率测量仪
接触式四点探针(4PP) + 非接触式电涡流(EC)双模技术 | 全自动电阻率Mapping系统
KLA R54 四探针电阻率测量仪 采用四点探针(4PP)和非接触式电涡流(EC)双模技术，测量范围覆盖10个数量级（低至1mΩ/sq），4PP重复性优于0.02%。设备配置边界效应动态校正与探针间距误差补偿功能，封闭式外壳适配光敏与环境敏感样品。
支持200mm/300mm晶圆或A4方形样品全自动测绘，RSMapper软件支持矩形、线性、极坐标及自定义测试点模式，可生成金属薄膜均匀性、离子注入掺杂与退火表征、薄膜厚度/电阻率等二维及三维分布图谱。适用于半导体晶圆、化合物半导体、太阳能电池（包括TOPCon）、LED、平板/VR显示、先进封装、印刷电路板及柔性可穿戴电子等行业。
接触式四点探针与非接触式电涡流，覆盖10个数量级测量范围，灵活应对不同导电薄膜材料。
内置边界效应补偿和探针间距误差校正，确保边缘区域测量准确性。
支持300mm晶圆或A4方形样品，高精度XY平台，自动EC探针高度误差校正。
封闭系统便于测量光敏或者环境敏感样品，适用于光刻、太阳能电池等敏感工艺。
4PP测量点重复性<0.02%，EC重复性<0.2%，兼容KLA全系列薄膜电阻探针。
直观界面，支持矩形/线性/极坐标/自定义点阵，2D/3D电阻率分布图实时生成。
| 产品型号 | R54 (4PP/EC双配置) | 品牌 | KLA |
| 测量技术 | 四点探针(4PP) / 电涡流(EC) | 测量范围 | 跨越10个数量级 (低至1mΩ/sq) |
| 4PP重复性 | <0.02% | EC重复性 | <0.2% |
| XY平台行程 | 支持200mm/300mm晶圆 或 A4方形样品 | Z轴行程 | 15mm (自动) |
| 样品台最大承重 | 2.5kg | 样品最大高度 | 15mm |
| 测绘模式 | 矩形、线性、极坐标、自定义点阵 | ||
| 软件 | RSMapper (数据采集/分析/2D-3D可视化) | ||
| 探针兼容性 | 兼容KLA所有薄膜电阻测量探针 | ||
| 特殊功能 | 封闭式外壳(光敏保护)、自动EC探针高度误差校正 | ||
| 更多定制配置请联系优尼康科技 | |||
4PP/EC均可测量金属薄膜电阻均匀性，两者高度相关。EC推荐用于较厚高导电金属膜，4PP适用于较薄金属膜(>10Ω/sq)。电阻分布图表征薄膜均匀性及工艺波动。
4PP法是离子注入工艺的标准测量技术。热退火后测试注入分布，识别热点/冷点及注入剂量变化。
通过输入材料电阻率可计算膜厚分布；或输入膜厚数据计算电阻率分布，灵活适配不同分析需求。
RSMapper软件集成数据采集与强大分析功能，直观可视化界面，轻松设置测量点，支持离线使用。
典型薄膜电阻分布图及Mapping可视化结果
“KLA R54的双模技术极大简化了我们晶圆厂金属膜电阻的测量流程。EC非接触方式保护了软质金属层，4PP则用于高精度表征，封闭外壳非常适合光刻段的环境敏感样品。”
“用于太阳能电池TOPCon工艺的ITO和银浆电阻均匀性监控，R54的边界效应校正让边缘测量数据更可靠，300mm平台满足大尺寸硅片需求。”
4PP适用于较薄金属膜(>10Ω/sq)和离子注入层，精度更高；EC适用于较厚高导电金属膜、软质表面或易氧化材料，非接触式测量不损伤样品。两种模式结果高度相关，可互为验证。
可配置容纳300mm圆形晶圆或A4方形样品（210mm×297mm），XY平台自动测绘，Z轴行程15mm，最大样品高度15mm。
封闭系统可有效隔离环境光和环境敏感因素，适用于光敏材料（如光刻胶、太阳能电池）的测量，避免样品性能受外界影响。
可以。RSMapper软件支持矩形、线性、极坐标等多种预设模式，也支持用户自定义无限数量测量点，数分钟内完成配方建立。
可以间接测量。输入已知材料的电阻率，R54可通过电阻值计算薄膜厚度分布；反之输入厚度可计算电阻率分布，适用于导电薄膜的厚度监控。
免费样品测试服务
不确定您的导电薄膜样品适合4PP还是EC测量？我们提供免费样品测试服务！寄送样品，专业工程师将使用KLA R54为您进行薄膜电阻/方阻测试，并提供详细测量报告和方案建议。
