J.A. Woollam M-2000 旋转补偿椭偏仪

J.A. Woollam M-2000 旋转补偿式光谱椭偏仪,单次同步采集700+波长,每秒20次,光谱193-1690nm(视配置),支持腔室原位与台式离线两种配置,适合半导体、显示、光伏薄膜表征。优尼康科技代理,提供免费样品测试与选型支持,电话400-186-8882。 

  • 产品名称: J.A. Woollam M-2000 旋转补偿椭偏仪
  • 品牌: J.A. Woollam
  • 产品型号: M-2000
  • 产地: 美国

J.A. Woollam M-2000 旋转补偿椭偏仪

RCE 旋转补偿技术与高速 CCD 结合,单次同步采集 700 个以上波长,支持腔室原位与台式离线两种配置


J.A. Woollam M-2000 旋转补偿椭偏仪
700+
单次同步采集波长数
193–1690 nm
光谱覆盖(视配置)
20 次/秒
数据采集速率
4.2 K – 1000 ℃
可选变温测量范围
产品介绍

旋转补偿式椭偏架构配合高速 CCD,兼顾测量速度与通用性

J.A. Woollam M-2000 光谱椭偏仪面向半导体薄膜表征的广泛需求,将光学设计、宽光谱范围与快速数据采集结合在一起。核心是集成高速 CCD 检测的旋转补偿椭偏技术(RCE,Rotating Compensator Ellipsometer),可在一次采集中同步获取数百个波长的椭偏数据。


模块化光学设计是 M-2000 的主要特点,同一套光学系统既可直接连接到镀膜腔室做原位监测,也可配置在各类台式基座上做离线测量。系统采集速率为每秒 20 次,全光谱典型测量时间 0.5 至 5 秒,取决于所需的信噪比。


测量范围覆盖亚纳米至数十微米的透明薄膜,光学常数可测介电质、有机物、半导体与金属。将椭偏数据与透射强度数据联合分析,还可表征厚度小于 50nm 的金属薄膜。

行业验证
J.A. Woollam 自 1987 年起专注椭偏测量技术,产品长期用于全球高校、科研院所与半导体、显示、光伏企业的薄膜表征。M-2000 采用旋转补偿式架构,兼顾测量精度与速度,模块化设计使其既能做台式离线检测,也能集成到工艺腔室与产线做原位监测。优尼康科技代理 J.A. Woollam 椭偏仪,提供本地化的选型咨询、安装培训与售后技术支持。
核心优势
RCE 旋转补偿技术

旋转补偿器配合高速 CCD 检测,在一次采集中同时获得全部波长的偏振信息,兼顾准确度与灵敏度。

快速光谱探测

采集速率每秒 20 次,全光谱典型测量时间 0.5 至 5 秒,适合批量检测与实时过程监测。

宽光谱覆盖

紫外至近红外同步采集 700 个以上波长点,D 型配置覆盖 193nm、248nm、365nm 等关键光刻波长。

灵活的系统配置

模块化光学设计,既可直接接到镀膜腔室做原位测量,也可装在不同台式基座上做离线检测。

亚单层灵敏度

对表面材料的厚度变化具备亚纳米级灵敏度,可用于超薄膜与界面层的表征。

多材料适用

介电质、有机物、半导体、金属均可测定光学常数,并支持成分、结晶度与导电性等衍生分析。

典型行业应用
光学镀膜
半导体薄膜
GaN / InP / SiGe
有机层与 OLED
光伏薄膜
显示面板
全吸收薄膜
液体界面
原位工艺监测
大面积面板 Mapping
石墨烯与二维材料
科研表征
应用详解
应用领域椭偏测量场景典型测量对象
半导体薄膜栅介质、高 k 介质、SOI、SiGe 等膜层的厚度与光学常数表征,D 型配置覆盖 193nm 关键光刻波长。SiO2、SiNx、HfO2、多晶硅、光刻胶
化合物半导体GaN、InP、CdTe 等材料的膜厚与光学色散测定,建立组分与光学常数的对应关系。GaN、InP、SiGe、CdTe、III-V 族化合物
光学镀膜增透膜、高反膜、滤光片的膜厚与折射率 n、k 测定,判断镀膜性能是否达到设计值。TiO2、SiO2、Ta2O5、MgF2
显示面板ITO 透明电极、有机功能层、液晶层的厚度与光学性质表征,支持显示工艺评价。ITO、有机发光层、液晶、聚酰亚胺
全吸收薄膜将椭偏数据与透射强度数据联合分析,表征金属与石墨烯等吸收型薄膜。金属薄膜(小于 50nm)、石墨烯、二维材料
光伏薄膜减反射膜、吸收层的厚度与光学常数测定,支撑电池效率与稳定性优化。SiNx 减反射膜、钙钛矿、CIGS、CdTe
液体界面研究配合液体池与电化学池,对固液界面的吸附与电化学过程做原位表征。吸附层、电化学界面、生物分子层
原位工艺监测光学系统直接接入工艺腔室,对薄膜生长做实时监控与工艺反馈。MBE、ALD、PECVD、MOCVD、溅射、电子束蒸发
可测材料、结构与表征项目

M-2000 面向从简单到复杂的多种薄膜体系,可测量与表征的项目包括:

材料类型

介电薄膜、半导体(晶体/非晶/多晶)、有机物与高分子、金属、二维材料、钙钛矿等。

结构类型

单层膜、多层堆叠膜、渐变折射率膜、多孔膜、粗糙界面、液体界面等。

表征项目

厚度、折射率 n、消光系数 k、孔隙率、成分、结晶度、导电性、各向异性、表面粗糙度与界面混合等。

典型场景

半导体薄膜工艺监控、光学镀膜质检、显示与光伏膜层评价、原位生长监测、材料光学常数建档。

微晶硅薄膜Mapping分析
微晶硅薄膜Mapping分析
折射率分布图测量结果
折射率分布图测量结果
测量原理
旋转补偿器(RCE)椭偏测量
椭偏测量的基本原理是:偏振光经样品反射或透射后,偏振态随薄膜厚度与光学常数发生改变,解析出射光的偏振状态即可反演膜层参数。M-2000 在光路中使用旋转补偿器配合高速 CCD 检测,一次采集即可获得全部波长点的偏振信息。与其他采集方式相比,旋转补偿式架构在获取 Psi 与 Delta 数据的同时,也保留了描述样品非理想状态所需的信息。测试过程的建模与拟合在 CompleteEASE 软件中完成,软件内置多种有效介质近似模型,可对孔隙率与界面混合做定量分析。
椭偏仪测量示意图
测量能力与表现
全光谱同步采集

一次测量获得紫外至近红外整段光谱的数据,单次同步采集 700 个以上波长点。

快速采集

采集速率每秒 20 次,全光谱典型测量时间 0.5 至 5 秒,适合批量检测与动态过程跟踪。

变角与调焦

固定 65°,水平自动变角 45°–90°,垂直自动变角 20°–90°;X 型光斑可小至 120μm。

大面积 Mapping

可配 300mm 自动 Mapping 台,并支持 1.1 × 1.3m 面板的离线与在线扫描。

SiO₂ 与 Ta₂O₅ 在玻璃上的数据对比曲线
SiO₂ 与 Ta₂O₅ 在玻璃上的数据对比曲线
优尼康科技精密薄膜测量设备
不同结晶度锗薄膜的光学常数曲线
产品技术参数
参数名称规格参数名称规格
仪器类型旋转补偿式光谱椭偏仪(RCE)数据采集速率每秒 20 次
光谱范围193–1690 nm(视配置)单次同步波长数700 个以上
全光谱测量时间0.5–5 秒(视信噪比要求)固定入射角65°
水平自动变角45°–90°垂直自动变角20°–90°
膜厚测量范围亚纳米至数十微米(透明薄膜)聚焦光斑X 型可小至 120μm;D/U 型 300μm
变温测量Linkam 温度台 -70 至 600 ℃;低温/高温台 4.2 K 至 1000 ℃软件CompleteEASE(含孔隙率分析模块)
电源100 / 110 / 220 / 240 VAC,50–60 Hz原位适用工艺MBE、ALD、PECVD、MOCVD、溅射、电子束蒸发等
M-2000 型号配置怎么选

M-2000 提供多种波长配置,并可加装红外扩展,可按被测材料的吸收特性与工艺需求选择:

配置光谱范围同步波长点数适用场景
V 型370–1000 nm390卤素灯光源,可见至近红外常规薄膜表征
U 型245–1000 nm470氘灯加卤素灯,覆盖近紫外波段
X 型245–1000 nm470氙灯光源,光斑可小至 120μm,适合小样品
X-210 型210–1000 nm485紫外延伸至 210nm,兼顾深紫外与可见
D 型193–1000 nm500覆盖 193 / 248 / 365nm 关键光刻波长,半导体场景对口
红外扩展 I1005–1690 nm额外 190在任一配置基础上加装,用于厚膜与近红外吸收材料
软件与数据处理
CompleteEASE 平台

数据采集与分析一体,内置多层膜、渐变折射率、粗糙界面与各向异性等拟合模型。

孔隙率分析模块

基于 Lorentz-Lorenz 或 Bruggeman 有效介质近似,对多孔薄膜的孔隙率做定量分析。

J.A. Woollam 三款椭偏仪怎么选

优尼康科技同时代理 J.A. Woollam 的三款光谱椭偏仪,三款机型定位互补,可按测量对象与使用场景选择:

对比项RC2M-2000theta-SE
核心定位研究级,穆勒矩阵与各向异性表征通用型,原位与产线集成薄膜均匀性 Mapping 专项
测量能力SE / g-SE / MM-SE 全部 16 个穆勒矩阵元素SE / g-SE / MM-SE(视配置)SE / g-SE / MM-SE
光谱范围193–2500 nm(视配置)193–1690 nm(视配置)400–1000 nm
数据速率全光谱约 1/3 秒每秒 20 次采集可快至 0.3 秒
角度配置固定 65°,水平 45°–90°,垂直 20°–90°固定 65°,水平 45°–90°,垂直 20°–90°固定 65°
样品尺寸可配 300×300 mm Mapping 台支持 300 mm 及 1.1×1.3 m 面板扫描内置 300 mm Mapping 台
适用场景各向异性、退偏振、复杂叠层与纳米结构研发常规薄膜表征与在线工艺监测晶圆全片均匀性检测与量产监控
本地化服务与技术支持

M-2000 由 J.A. Woollam 制造,优尼康科技代理该品牌椭偏仪,提供从选型咨询、安装培训到售后的技术支持。如需评估样品适用性,可寄送样品或由工程师协助测试,确认测量方案后再行采购。

客户评价

我们用 M-2000 做溅射薄膜的在线监测,光学头直接装在腔体上,每秒 20 次的采集速率能够跟上工艺节拍,膜厚异常可以及时发现,不必等整批做完再检测。

某半导体薄膜工艺团队

实验室用 D 型配置测光刻胶与高 k 介质,193nm 波段覆盖后,超薄膜的拟合结果比过去稳定。CompleteEASE 的模型库比较全,新材料的建模不用从零开始搭。

某微电子研究院所

我们做光学镀膜的多层膜检测,M-2000 全光谱测量时间短,配合 300mm Mapping 台可以快速看整片均匀性,同一台设备也能做研发样品的精细拟合,利用率高。

某光学元件制造企业
常见问题
M-2000 有哪些波长配置可选?+

常见配置包括 V 型(370–1000nm)、U 型(245–1000nm)、X 型(245–1000nm)、X-210 型(210–1000nm)与 D 型(193–1000nm)。除 V 型外均可加装红外扩展,额外覆盖 1005–1690nm 的 190 个波长点。

M-2000 能做原位和在线测量吗?+

可以。M-2000 采用模块化光学设计,光学系统可直接连接到镀膜腔室做原位监测,适用于 MBE、ALD、PECVD、MOCVD、溅射、电子束蒸发等工艺;也可装在台式基座上做离线检测。

测量一次需要多长时间?+

系统采集速率为每秒 20 次,全光谱典型测量时间 0.5 至 5 秒,具体取决于信噪比要求。需要更高精度时可增加平均次数。

能测金属这类不透光的薄膜吗?+

可以。将椭偏数据与透射强度数据联合分析,可表征厚度小于 50nm 的金属薄膜,以及对石墨烯等吸收型二维材料做测量。

有哪些变温与液体测量附件?+

温度附件包括 Linkam 标准温度台(-70 至 600℃,稳定性 0.1℃)以及低温保持器与加热台(4.2K 至 1000℃);液体测量可选标准液体池、可加热液体池与电化学池。

优尼康科技提供哪些支持?+

优尼康科技代理 J.A. Woollam 椭偏仪,提供选型咨询、安装培训、售后技术支持与样品测试协助,帮助确认测量方案后再采购。

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