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OLED显示膜厚测量全解析：从TFT背板到发光层
OLED面板制造中，从TFT背板的栅极绝缘层到发光层的蒸镀厚度控制，再到TFE薄膜封装的每一层膜厚，都直接影响显示效果和寿命。优尼康科技详解OLED膜层结构、蒸镀膜厚控制方法、ITO阳极均匀性检测、TFE多层封装测量，以及光谱反射法在OLED产线上的应用。
2026-08-04 优尼康查看详情 -
AI芯片封装薄膜测量挑战与应对：HBM微凸点、CoWoS RDL与光谱反射法
优尼康科技带您解析AI芯片封装爆发下的薄膜测量挑战。HBM微凸点高度、CoWoS RDL累积误差、产线通量平衡都对膜厚控制提出新要求。本文梳理光谱反射法在微凸点、RDL与在线全检中的适配方案。
2026-07-27 优尼康查看详情 -
先进封装中的薄膜测量关键技术解析
优尼康科技带您解析先进封装中的薄膜测量：HBM、3D IC、Chiplet 把多颗芯片与多种薄膜叠在一起，RDL 介电层、微凸点 UBM、TSV 侧壁介质等薄膜厚度直接决定堆叠良率。本文详解各关键薄膜结构的测量要求、核心难点，以及光谱反射法在微区测量中的优势。
2026-07-24 优尼康查看详情 -
硅 vs 砷化镓 vs 磷化铟三大半导体材料对比
一文看懂Si/GaAs/InP的带隙类型、电子迁移率、应用场景差异。硅间接带隙无法发光，GaAs仅适配850nm短距，InP覆盖1310/1550nm通信窗口。附三种材料性能对比表。
2026-07-20 优尼康查看详情 -
![全球磷化铟衬底市场供需失衡，产业链加速扩产]()
全球磷化铟衬底市场供需失衡，产业链加速扩产
2026年全球磷化铟（InP）衬底需求超260万片，有效产能仅75万片，缺口超70%。JX金属投资1200亿日元扩产，英伟达战略投资Coherent。国内云南锗业、先导科技加速6英寸衬底量产。详细分析磷化铟产业链供需格局与国产替代机遇。
2026-07-20 优尼康查看详情 -
![磷化铟（Inp）在半导体中的作用]()
磷化铟（Inp）在半导体中的作用
磷化铟为什么在光通信中不可替代？从直接带隙和高电子迁移率两项物理特性，到激光器、探测器、高频器件三大应用，再到AI数据中心驱动的市场需求与全球供应链格局，一篇文章讲清磷化铟在半导体中的核心作用。
2026-07-20 优尼康查看详情
