在固态照明领域，高性能的GaN基LED作为有潜力的光源已经获得了广泛的关注，并在紫外可见光等各个发光波段都得到了广泛的应用，而提高GaN基LED的光提取效率是进一步将其推广应用的重要前提。

然而，由于LED与空气接触面的全反射现象的存在，目前光提取效率仍然很低。考虑到GaN和空气的折射率差，从芯片入射到空气的全反射临界角c只有24.6°，进而将大部分光重新反射回LED芯片中，并被外延层吸收并转化为热量，其大大的降低了光提取效率。然而，假如光的出射角小于c，那么LED发出的光就能自由的进入空气中了。有鉴于此，目前的一些研究是通过改变器件中的光回路来提高光提取效率，常用的方法包括：引入分布式布拉格反射镜(DBR)，光子晶体结构，图形化衬底，以及表面钝化等。

近几年，研究者结合理论及实验研究了不同种类表面钝化层对LED的光学和电学性能的影响。而其中具有SiO2钝化层的传统GaN基LED得到了广泛应用。Chang等人证明了在室温下通过电子回旋共振化学气相沉积方法制备的SiNx薄膜可以钝化GaN基LED。实验结果表明运用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)方法制备的SiONx可以作为抗反射的钝化层。为了增强发光强度，Su等研究者使用了硫化氢来钝化AlGaInP LED的表面。而So等人注意到，在回流温度不变的条件下，半球的底部直径随回流时间增加而增加。在光刻技术的帮助下，我们使用HF去除了电极表面的钝化层，而没有破坏表面。LED芯片的I-V曲线与LOP测量是由FitTech IPT6000 LED芯片/晶圆测试系统完成的，反向漏电流IR是由微波探针台测量的。

图3(a)显示了不同结构LED的I-V特性，分别是：0分 钟回流图形化SiO2/Al2O3钝化层(sample A)；5分钟回流图形化SiO2/Al2O3钝化层(sample B)；7分钟回流图形化SiO2/Al2O3钝化层(sample C)；9分钟回流图形化SiO2/Al2O3钝化层(sample D);11分钟回流图形化SiO2/Al2O3钝化层(sample E);以及传统的SiO2钝化层(作为参照)。由于具有相同的外延结构，这6种LED的I-V特性几乎是一样的，在60mA输入电流条件下，正向电压都是 3.1V。图3(b)显示了这些LED光致发光(EL)的特性，峰值波长都是460nm，Sample D输出功率高。